Gen1.0 600V/650V/1200V IGBT 研發(fā)和量產(chǎn); Gen1.0 SJ MOS研發(fā)和量產(chǎn); 模擬IC DC - DC 、 LDO、OP 等產(chǎn)品研發(fā)和量產(chǎn)。
TMBS 研發(fā)和量產(chǎn); Gen2.0 SGTMOS (30V-150V)研發(fā)和量產(chǎn) ; TRENCH MOS(20V-100V)研發(fā)和量產(chǎn)。
Gen1.0 SGTMOS(30V-100V)研發(fā)和量產(chǎn)。
VDMOS (400V-1500V)研發(fā)和量產(chǎn)。
6月,公司注冊成立,專注研發(fā) MOSFET、IGBT 等系列國產(chǎn)化高端功率器件芯片。